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车用SiC-MOSFET的应用与技术发展综述-汽车工程师2025年04期

车用SiC-MOSFET的应用与技术发展综述

作者:李尊 张政 吴毅卓 王学耀 字体:      

【摘要】针对硅基绝缘栅双极型晶体管(IGBT)难以进一步满足电动汽车高功率密度、低导通损耗、高散热能力等需求的不足,综述了车用碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC-MOSFET)的最新研究进展。通过总结SiC-MO(试读)...

汽车工程师

2025年第04期